En la línea con las investigaciones con el uso del diamante
en el ámbito de la electrónica, se ha desarrollado un
Transistor de efecto de campo de unión de diamante
interdigitado (INTERJFET). La solución se basa en técnicas
de tratamiento innovadoras como el crecimiento lateral y
selectivo de capas de diamante de dopadas, esto junto con
la estructura interdigitada, maximiza la densidad de
canales. Esta solución permite al INTERJFET alcanzar
corrientes de drenaje de 16-32 A con tensiones de hasta 3
kV y temperaturas superiores a los 250 °C. Gracias a las
propiedades del diamante, el dispositivo sería resistente
ante ambientes hostiles.
El diseño apunta a aplicaciones de alta potencia, al ser
capaz de trabajar con altas corrientes y voltajes, que
requieran un alto rendimiento y eficiencia energética.

ESTADO DE DESARROLLO

El transistor InterJFET se encuentra en una fase
avanzada de investigación. Se han realizado estudios
teóricos y simulaciones que confirman su viabilidad
para aplicaciones de alta potencia. A pesar de que aún
no se ha fabricado el prototipo final, los resultados
obtenidos hasta el momento validan el enfoque
teórico y su potencial para operar en condiciones de
alta tensión y temperatura. Los próximos pasos
incluyen la construcción del prototipo y su validación
experimental, que se espera confirmen las
predicciones teóricas y permitan su implementación
en aplicaciones industriales.

PALABRAS CLAVE

Transistor de diamante, INTERJFET, crecimiento selectivo,
electrónica de alta potencia, semiconductores, diamante,
interdigitada, nuclear, eficiencia energética.

Este transistor de diamante está diseñado para su uso en
aplicaciones de electrónica de alta potencia, como
convertidores de energía, controladores de motores de alta
eficiencia, y redes eléctricas inteligentes.

Su capacidad para operar a altas tensiones y
temperaturas lo convierte en una solución ideal para
sistemas que requieren estabilidad en condiciones
extremas, como plantas de energía, vehículos eléctricos y
equipos industriales.

VENTAJAS

●Alta Potencia y Eficiencia: La arquitectura vertical
permite manejar corrientes y tensiones elevadas
con una eficiencia energética óptima.
● Resistencia a Altas Temperaturas: Capaz de
operar a temperaturas superiores a 250 °C, lo que
lo hace ideal para aplicaciones en entornos
extremos.
● Densidad de Corriente Optimizada: La estructura
interdigitada maximiza la densidad de canales,
incrementando la capacidad de conducción del
dispositivo.
● Diseño Innovador: Utiliza crecimiento lateral y
selectivo de diamante dopado, lo que mejora la
resistencia a la ruptura dieléctrica y la durabilidad
del dispositivo.

AUTORES

Daniel Araujo Gay, Jesus Cañas Fernandez, Fernando
Lloret Vieira, María del Pilar Villar Castro.

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